Transistor HEMT

    Clase de transistor de efecto campo, que presentan una juntura constituida por dos semiconductores de una constitución tal que originan una delgada capa, en la que los portadores de carga tienen una tan alta movilidad que se comportan como una especie de gas de electrones.

    En un átomo aislado, los electrones de la corteza están distribuidos mediante las soluciones de la ecuación de Schrödinger, correspondiéndole a cada uno cuatro números cuánticos que le identifican, pero cuando se considera un sólido cristalino, las interacciones atómicas configuran una situación más compleja. En este caso, los electrones se distribuyen en unas regiones, llamadas bandas, con un contenido energético determinado, que están separadas por otras de energía prohibida.

    De todas esas bandas, la de mayor energía se denomina banda de conducción, y la siguiente a ella, en orden de menor energía, banda de valencia. Los electrones que se hallan en la banda de conducción y que no están ligados a átomo alguno constituyen el llamado gas de Fermi.

    Los transistores HEMT, presentan unas fisuras en sus semiconductores entre las bandas de conducción y de valencia, que permiten una comunicación entre ambos, de manera que los electrones de la capa de Fermi quedan confinados en una tan fina lámina que es como si el gas electrónico que se halla en dicha capa sólo pudiera desplazarse en un espacio bidimensional.

    Por ello, su denominación, acrónimo de las palabras inglesas Hight Electrón Mobility Transistor, es reveladora de su constitución. Los tres terminales que presentan admiten diferentes combinaciones de componentes, con distintos saltos de banda prohibida.

    Los transistores HEMT son muy usados en las antenas de captación de señales enviadas por satélites para eliminar el ruido asociado a dichas señales, el cual se debe, por una parte, a la multitud de emisiones existentes en el espacio y, por otra, a los propios equipos electrónicos.