Transistor IGBT

    Clase de transistor bipolar de puerta aislada, cuya denominación IGBT es el acrónimo de las palabras inglesas Insulate Gate Bipolar Transistor, las cuales son reveladoras de la constitución de este dispositivo.

    Se trata de un componente usado en circuitos de potencia, capaz de soportar altas tensiones y, en consecuencia, de disipar grandes cantidades de calor.

    En realidad, es un transistor que posee características de los MOSFET y de los BJT. Los MOSFET están constituidos por un semiconductor, tipo N, llamado canal, que tiene a sus lados dos regiones semiconductoras, tipo P, interconectadas. A cada lado del canal, hay dos terminales llamadas fuente y drenador y, además, existe otro elemento terminal, denominado puerta, que se encuentra aislado del canal, con lo que la intensidad de la corriente que lo atraviesa es muy pequeña, lo que implica que la resistencia sea muy alta. Por su parte, los BJT tienen como características básicas la posibilidad de trabajar con altas corrientes y, además, su baja tensión de saturación.

    En los transistores IGBT, la señal de entrada se controla mediante el efecto campo, mientras que un dispositivo bipolar realiza las funciones de conmutación. De esta manera, se unen las ventajas de los controles de entrada de los transistores MOSFET y la capacidad de carga de los transistores bipolares. No obstante, al igual que todos éstos, los IGBT tienen el defecto de que el paso de bloqueo a conducción y su recíproco no es instantáneo, sino que tarda cierto tiempo en producirse.

    Estos dispositivos tienen una extensa aplicación en electrónica de potencia, donde se les usa para la conmutación en sistemas de alta tensión. Su arquitectura les permite controlar importantes circuitos con una tensión en la puerta muy baja (unos 15 voltios) y con intensidades de corriente de entrada muy débiles. Estas características les hacen muy adecuados para su empleo en fuentes de alimentación y control de motores.